在X射线吸收谱中，双重术阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。
然而，冗余TMDCs中的自旋-谷耦合导致了双层材料的自旋极化，在光学过程中也产生了极化。在单层TMDCs中，产业晶体中心反演对称性的破坏和自旋轨道耦合（SOC）导致了自旋-谷耦合光学选择规则。
近年来，太用人们发现二维TMDCs中的非线性光学过程，如二次谐波（SHG）等，遵循与谷相关的光学选择规则，并具有高偏振度。网技所有标尺代表10μm.f）根据层数绘制的这些样品的倍频DP振幅的比较。统中插图显示了双对数图中斜率为2的功率相关倍频强度拟合线。
对于通常的2H相（AB堆叠）双层TMDCs，双重术由于反演对称的存在，谷极化消失。通过对不同扭转角TMDCs材料和螺旋结构的研究，冗余发现层间耦合对谷相关SHG没有显著影响。
在圆偏振光激发下，产业由于大的自旋-谷劈裂，在2H相WS2和WSe2双层膜中观察到了较大程度的圆偏振光极化。
太用插图显示了相应样本的明场光学图像。去除激发源后，网技荧光发光体显示出明显的磷光。
统中这些荧光发光体可作为发光层来制造蓝光和白光有机发光器件。此外，双重术众所周知，需要InGaN层作为发射区的μLED自然会显示出明显的宽谱线宽度，这对于诸如绿色的长波长变得越来越严重。
更重要的是，冗余这种μLED的光谱线宽度已显着减小至25nm，这是迄今为止所报道的III型氮化物绿色μLED的最窄值。未经允许不得转载，产业授权事宜请联系[email protected]。
